Unsere Produkte

Unsere Elektronen-Multistrahl-Maskenschreiber zeichnen sich durch ihre Präzision und ihre hohe Produktivität aus.

 

Unsere Produkte

Mit unseren Entwicklungen überschreiten wir technologische Grenzen. Wir arbeiten heute für die Produktion der fortschrittlichsten Halbleiter-Chips und für Chipgenerationen von morgen.

 

Unsere Produkte

Unsere Multi-Beam-Maskenschreiber zeichnen sich durch ihre Präzision und ihre hohe Produktivität aus.

 

Unsere Produkte

Mit unseren Entwicklungen gehen wir an die Grenzen des physikalisch Machbaren. Wir arbeiten heute für Chipgenerationen von morgen.

Die ausgereiften Elektronen-Multistrahl-Maskenschreiber MBMW (= Multi-Beam Mask Writer) bieten neben ihrer Präzision auch eine außergewöhnlich hohe Produktivität für Maskentechnologie-Knoten von 28 bis 5 Nanometer (nm).

Seit 2016 beliefert IMS die Maskenindustrie mit MBMW-101-Produktionsgeräten zum Einsatz für den 7-Nanometer-Technologie-Knoten. Ab 2019 werden die ersten “MBMW-201”-Tools für den 5-Nanometer-Technologie-Knoten ausgeliefert.

Das weltweit erste Gerät für Elektronen-Multistrahl-Maskenschreiben auf 6-Zoll-Photomasken, das so genannte MBMW Alpha Tool, konnte im Februar 2014 fertiggestellt werden. 2016 wurde die Datenrate des MBMW-Geräts um einen Faktor 10 auf 120 Gbit/s gesteigert.

1
Versorgungsrack für Hochspannung, Datenpfad und System Control
2
Elektronenoptische Säule
3
Plattform mit Luft-gelagertem Vakuum Tisch
4
Automatische Masken-Ladestation

MBMW-101

Der MBMW-101 Multistrahl-Maskenschreiber arbeitet mit 512 x 512 (262.144) programmierbaren Elektronenstrahlen innerhalb eines Strahlfelds, in der Größe von 82 x 82 Mikrometer (µm), wobei das von IMS entwickelte elektronenoptische Reduktionssystem mit 200-facher Verkleinerung zum Einsatz kommt. Die Elektronen-Strahlgröße kann zwischen 10 und 20 Nanometern (nm) gewählt werden. 10nm-Strahlen kommen bei der Herstellung von 1:1-Masken für die Nano-Imprint-Lithographie (NIL) zum Einsatz. 20nm-Strahlen werden für Photomasken und EUV-Masken mit 4-facher Verkleinerung zur Lithographie auf 300mm-Silizium-Wafern verwendet.

Der entscheidende Vorteil unseres Elektronen-Multistrahl-Maskenschreibers gegenüber der herkömmlichen Technologie mit einem einzigen variablen Formstrahl (VSB – variable shaped beam) ist eine verbesserte Produktivität mit einer Maskenschreibzeit von weniger als 10 Stunden. Dadurch werden komplexe Masken-Muster insbesondere für kurvilineare Inverse Lithographie Technologie (ILT) ohne Erhöhung der Maskenschreibzeit möglich.

TECHNISCHE DATEN

Elektronenstrahl-Energie am Maskensubstrat
50 keV

Programmierbare Strahlen
512 x 512 (262.144)

Multistrahl Feld
82 µm x 82 µm

Auflösung / Lagegenauigkeit
14 nm / 0.1 nm 

Maximale Stromdichte
1 A/cm2

Maximaler Strom
1 µA 

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IMS ist ein multidisziplinäres Hightech-Unternehmen, das auf Innovation in der Elektronenstrahl-Litographie im Nanobereich spezialsiert ist.

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